高纯镍带、箔的工艺原理
我司全部采用加拿大鹰桥镍作为母料,根椐镍的相转变规律,熔炼前在固相区,用分段还原法将镍中最有害的杂质硫、磷降低,进而用造渣法和真空电子来精炼提纯,真空度达到－3乇。
真空熔炼有以下优点
液体金属中所含气体能迅速排出,使熔体的含气量很低。
合金元素的氧化损失大幅度降低,熔体的氧化夹渣物急剧减少。
熔体不用履盖剂和熔剂，熔体不易污染。
提高金属用合金的性能，可提高其冲击韧性80%，持久强度与延伸率分别提高30%，断面收缩率提高50%。
分析16个杂质元素，纯度达到99.986%，分析11个杂质元素，纯度达到99.99%，其它元素总量≤0.01%，与世界上镍加工先进的国家相比，镍纯度明显提高。分段还原和造渣技术，硫、磷分别降到10ppm以下，电阻率ρ≤0.068Ω•mm2/M，保证电阻率的稳定和均匀。可满足米电产品生产要求。加工采用热开坯冷轧制，既减少了污染，又节约了能源。中轧、精轧机均采用进口多辊机压延，厚度最薄0.02mm，公差控制在±0.001mm，材质的硬度均匀，规格状态有M、1/4Y、1/2Y、3/4Y、Y态，窄带工艺由带材剪切而成，采用德国进口设备加工，截面为规整的矩形，此工艺精确、难度大、产品优。最窄1mm宽，产品最小尺寸0.02*1mm，弯曲度≤0.5mm/M，产品焊接性能好，具有良好的导电性和抗氧化性，光洁度好，状态规格齐全。
高纯度镍带箔特性
物理特性
密度在700F时：8.90 g/cm3;0.322 ib./cu.in
线膨胀系数(英寸/英寸/0C)：20-100℃ 0.000014 20-200℃ 0.000014
线膨胀系数(英寸/英寸/0C)：20-500℃ 0.000015 20-700℃ 0.000016
杨氏弹性模量,E,PSI×10-6 30.1
导电率：22.6%IACS
电阻率在200C时：microhm.cm:7.63 ohms/cir.mil./ft.:45.9
热导率：cal./cm.2sec.0C/cm.at700C:0.206 BTU/ft.2/hr./0F/ft.at 1580C:49.9
电阻温度系数：200-1000C/0C 0.0058 200-5000C/0C 0.0074 200-8000C/0C 0.0060
原子序数 28 原子量 58.1
原子半径(A)1.25 晶体结构f.c.c
晶体常数(A)3.52 熔点1.4530C;2.6470F 沸点2.7300C;4.9500F
熔解潜热73.8cal./g 比热在200C-BTU/ib./0F时0.105
极间电位0.25volts 声速16.300ft./sec.；4.973m/sec.
泊松比 0.31 热中子截面(靶)吸收：4.6 散射：17.5
线膨胀系数(英寸/英寸/0C)：20-100℃ 0.000014 20-200℃ 0.000014
线膨胀系数(英寸/英寸/0C)：20-500℃ 0.000015 20-700℃ 0.000016
杨氏弹性模量,E,PSI×10-6 30.1
导电率：22.6%IACS
电阻率在200C时：microhm.cm:7.63 ohms/cir.mil./ft.:45.9
热导率：cal./cm.2sec.0C/cm.at700C:0.206 BTU/ft.2/hr./0F/ft.at 1580C:49.9
电阻温度系数：200-1000C/0C 0.0058 200-5000C/0C 0.0074 200-8000C/0C 0.0060
原子序数 28 原子量 58.1
原子半径(A)1.25 晶体结构f.c.c
晶体常数(A)3.52 熔点1.4530C;2.6470F 沸点2.7300C;4.9500F
熔解潜热73.8cal./g 比热在200C-BTU/ib./0F时0.105
极间电位0.25volts 声速16.300ft./sec.；4.973m/sec.
泊松比 0.31 热中子截面(靶)吸收：4.6 散射：17.5
磁性
居里温度3530C；6650F 初导磁率130
******导磁率124 饱和感应(B)6050
剩余磁感应(B)3250 抗磁性(H)3.0
******导磁率124 饱和感应(B)6050
剩余磁感应(B)3250 抗磁性(H)3.0
工艺流程图
